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測試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗。間歇工作壽命試驗利用芯片的反復(fù)開啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫和低溫，加速芯片內(nèi)各種組件材料和結(jié)合面的熱機械應(yīng)力，驗證封裝、內(nèi)部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機械應(yīng)力能力。IOL間歇壽命試驗系統(tǒng)HK-IOL-16H

IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。

SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù)： 　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。

HUSTEC-DC-2020分立器件測試儀設(shè)備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座，自動補 償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結(jié)果準確可靠。

MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀ITC57300 ITC57300是美國ITC公司設(shè)計生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數(shù)的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備。

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀HUSTEC-1200A-MT 華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

IGBT雙脈沖測試平臺PT-1224 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過特制測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試 品牌： 華科智源 名稱： 雙脈沖測試平臺 用途： 測試動態(tài)參數(shù)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀HUSTEC-1600A-MT華科智源功率器件測試儀，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。